后在行光刻胶的涂抹环节。

除了光刻胶之外，还有微光刻技术，

作为微电技术工艺基础的微光刻技术，它是人类迄今为止所能达到的度最的加工技术，加工尺寸已亚微米、百纳米以至纳米级，广泛地应用于微电、微光学和微机械等微系统工程的微细加工技术.包括不断冲破人们预测理论分辨能力极限的传统光学光刻技术，后光学光刻技术时代的下一代光刻技术和寻求在纳米结构图形生成有所突破的纳米加工技术.

芯片的难度确实很大，首先需要把光刻胶铺在硅片之上，通过速的旋转把光刻胶均匀的涂抹在硅片之上，然后在一定温度下，固话光刻胶形成薄。

该薄能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力。

接下来就是晶圆光刻显影、蚀刻。

使用紫外光通过光罩和凸透镜后照到晶圆涂上，使其化，然后使用溶剂将其溶解冲走，使薄下的硅暴来。

该过程使用了对紫外光的化学质，即遇紫外光则变。

通过控制遮光的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。

这时可以用上*一份遮光，使得紫外光直的分被溶解，这溶解分接着可用溶剂将其冲走。

这样剩下的分就与遮光的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

这个技术非常的复杂，也是非常关键的一个步骤，也是成本非常的一个分，可以说是制作芯片的心技术之一，难度是非常大的。

完成这些之后，接下来就是离注，又叫蚀刻阶段。

使用刻蚀机在的硅上刻蚀n阱和p阱，并注离，形成pn结（逻辑闸门）；然后通过化学和理气象沉淀上层金属连接电路。

离注技术又是近30年来在国际上蓬发展和广泛应用的一材料表面改技术。

其基本原理是：用能量为100kev量级的离束到材料中去，离束与材料中的原或分将发生一系列理的和化学的相互作用，离逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和能发生变化，从而优化材料表面能，或获得某些新的优异能。

此项技术由于其独特而突的优，已经在半导材料掺杂，金属、陶瓷、分聚合等的表面改上获得了极为广泛的应用，取得了大的经济效益和社会效益。

在完成离注之后，接下来就是清楚残余光刻胶的步骤了。

此刻，单晶硅内的一分硅原已经被替换了，这些被替换的就可以产生自由的电和空，到这个步骤其实也已经差不多了。

最后就算绝缘层的理，利用复杂的技术完成绝缘层，然后用光刻技术在绝缘层上开孔，以方便已导电极。

然后在利用沉淀铜层，在溅法的帮助下，在硅片的表面形成铜层的布置，在用光刻技术行全方位的雕刻，形成一个个有用的原件。